| 型号 : | IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 描述 : | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 5518 pcs |
| 数据库 | IPB80N06S207ATMA1.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 4V @ 180µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3-2 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 250W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 其他名称 | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND IPB80N06S207ATMA1TR SP000218818 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 3400pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 详细说明 | N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 80A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
