型号 : |
IDT71V25761YSA200BQI |
厂家/品牌 : |
IDT (Integrated Device Technology) |
描述 : |
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
RoHs状态 : |
包含铅/ RoHS不兼容 |
可用库存 |
4477 pcs |
数据库 |
1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
写周期时间 - 字,页 |
- |
电压 - 电源 |
3.135 V ~ 3.465 V |
技术 |
SRAM - Synchronous |
供应商设备封装 |
165-CABGA (13x15) |
系列 |
- |
封装 |
Tray |
封装/箱体 |
165-TBGA |
其他名称 |
71V25761YSA200BQI |
工作温度 |
-40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
3 (168 Hours) |
内存类型 |
Volatile |
内存大小 |
4.5Mb (128K x 36) |
内存接口 |
Parallel |
内存格式 |
SRAM |
无铅状态/ RoHS状态 |
Contains lead / RoHS non-compliant |
详细说明 |
SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
时钟频率 |
200MHz |
基础部件号 |
IDT71V25761 |
访问时间 |
5ns |