型号 : |
FQPF3P50 |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
5827 pcs |
数据库 |
FQPF3P50.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
5V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±30V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
TO-220F |
系列 |
QFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
4.9 Ohm @ 950mA, 10V |
功率耗散(最大) |
39W (Tc) |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-220-3 Full Pack |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
660pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
23nC @ 10V |
FET型 |
P-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
500V |
详细说明 |
P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
1.9A (Tc) |