| 型号 : | FQP50N06L |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : | MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 35757 pcs |
| 数据库 | 1.FQP50N06L.pdf2.FQP50N06L.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 系列 | QFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 21 mOhm @ 26.2A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 121W (Tc) |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 6 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 1630pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 32nC @ 5V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | 5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 详细说明 | N-Channel 60V 52.4A (Tc) 121W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 52.4A (Tc) |
