| 型号 : | FJN4307RBU |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 5885 pcs |
| 数据库 | FJN4307RBU.pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 系列 | - |
| 电阻器 - 发射器底座（R2） | 47 kOhms |
| 电阻器 - 基座（R1） | 22 kOhms |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） | 100mA |
