型号 : | FDP030N06B-F102 |
---|---|
厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 26947 pcs |
数据库 | FDP030N06B-F102.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
系列 | PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
功率耗散(最大) | 205W (Tc) |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-3 |
其他名称 | FDP030N06B_F102 FDP030N06B_F102-ND |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 39 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 8030pF @ 30V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 99nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
详细说明 | N-Channel 60V 120A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 120A (Tc) |