型号 : |
FDME910PZT |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
98696 pcs |
数据库 |
FDME910PZT.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±8V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
MicroFet 1.6x1.6 Thin |
系列 |
PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
24 mOhm @ 8A, 4.5V |
功率耗散(最大) |
2.1W (Ta) |
封装 |
Cut Tape (CT) |
封装/箱体 |
6-PowerUFDFN |
其他名称 |
FDME910PZTCT |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
39 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
2110pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
21nC @ 4.5V |
FET型 |
P-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
1.8V, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
详细说明 |
P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
8A (Ta) |