型号 : |
FDB6030BL |
厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : |
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
4392 pcs |
数据库 |
FDB6030BL.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
3V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
R-6 |
系列 |
PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
18 mOhm @ 20A, 10V |
功率耗散(最大) |
60W (Tc) |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
工作温度 |
-65°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 |
Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
1160pF @ 15V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
17nC @ 5V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
4.5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
详细说明 |
N-Channel 30V 40A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount R-6 |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
40A (Tc) |