型号 : | FCP165N65S3R0 |
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厂家/品牌 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
描述 : | SUPERFET3 650V TO220 PKG |
RoHs状态 : | |
可用库存 | 20466 pcs |
数据库 | FCP165N65S3R0.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4.5V @ 1.9mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
系列 | SuperFET® III |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 165 mOhm @ 9.5A, 10V |
功率耗散(最大) | 154W (Tc) |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
无铅状态 | Lead free |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 1500pF @ 400V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 39nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
详细说明 | N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 19A (Tc) |