| 型号 : | EPC8010ENGR |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | EPC |
| 描述 : | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 1834 pcs |
| 数据库 | EPC8010ENGR.pdf |
| 电压 - 测试 | 55pF @ 50V |
| 电压 - 击穿 | Die |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 系列 | eGaN® |
| RoHS状态 | Tray |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 2.7A (Ta) |
| 极化 | - |
| 其他名称 | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | EPC8010ENGR |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 0.48nC @ 5V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET特点 | N-Channel |
| 展开说明 | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| 漏极至源极电压（Vdss） | - |
| 描述 | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 100V |
| 电容比 | - |
EPC
