| 型号 : |
EPC2012CENGR |
| 厂家/品牌 : |
EPC |
| 描述 : |
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
30059 pcs |
| 数据库 |
EPC2012CENGR.pdf |
| 电压 - 测试 |
100pF @ 100V |
| 电压 - 击穿 |
Die Outline (4-Solder Bar) |
| VGS（TH）（最大）@标识 |
100 mOhm @ 3A, 5V |
| 技术 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| 系列 |
eGaN® |
| RoHS状态 |
Tape & Reel (TR) |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 |
5A (Ta) |
| 极化 |
Die |
| 其他名称 |
917-EPC2012CENGRTR |
| 工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 |
EPC2012CENGR |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds |
1nC @ 5V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs |
2.5V @ 1mA |
| FET特点 |
N-Channel |
| 展开说明 |
N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| 漏极至源极电压（Vdss） |
- |
| 描述 |
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） |
200V |
| 电容比 |
- |
EPC
