型号 : | EMG3T2R |
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厂家/品牌 : | LAPIS Semiconductor |
描述 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 582311 pcs |
数据库 | 1.EMG3T2R.pdf2.EMG3T2R.pdf |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 150mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 | EMT3 |
系列 | - |
电阻器 - 发射器底座(R2) | - |
电阻器 - 基座(R1) | 4.7 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | SC-75, SOT-416 |
其他名称 | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 10 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 转换 | 250MHz |
详细说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 100 @ 1mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA (ICBO) |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |
基础部件号 | *MG3 |