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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

型号 : EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
厂家/品牌 : Micron Technology
描述 : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
RoHs状态 : 无铅/符合RoHS
可用库存 4177 pcs
数据库 EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf
写周期时间 - 字,页 -
电压 - 电源 1.14 V ~ 1.95 V
技术 SDRAM - Mobile LPDDR2
供应商设备封装 134-VFBGA (10x11.5)
系列 -
封装 Tape & Reel (TR)
封装/箱体 134-VFBGA
其他名称 EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND
EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR
工作温度 -40°C ~ 125°C (TC)
安装类型 Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL) 3 (168 Hours)
内存类型 Volatile
内存大小 1Gb (64M x 16)
内存接口 Parallel
内存格式 DRAM
无铅状态/ RoHS状态 Lead free / RoHS Compliant
详细说明 SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
时钟频率 533MHz
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Micron Technology 图像仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格。 请放心从icgogogo.com购买EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR,我们提供1年保修
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