型号 : | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
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厂家/品牌 : | Micron Technology |
描述 : | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4177 pcs |
数据库 | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf |
写周期时间 - 字,页 | - |
电压 - 电源 | 1.14 V ~ 1.95 V |
技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
供应商设备封装 | 134-VFBGA (10x11.5) |
系列 | - |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 134-VFBGA |
其他名称 | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TC) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 3 (168 Hours) |
内存类型 | Volatile |
内存大小 | 1Gb (64M x 16) |
内存接口 | Parallel |
内存格式 | DRAM |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
详细说明 | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
时钟频率 | 533MHz |