| 型号 : | DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | Diodes Incorporated |
| 描述 : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 394246 pcs |
| 数据库 | DMG6601LVT-7.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TSOT-26 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| 功率 - 最大 | 850mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名称 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 32 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 422pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 详细说明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 3.8A, 2.5A |
| 基础部件号 | DMG6601 |
Diodes Incorporated
