型号 : | BUK9E4R9-60E,127 |
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厂家/品牌 : | NXP Semiconductors / Freescale |
描述 : | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4946 pcs |
数据库 | |
VGS(TH)(最大)@标识 | 2.1V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±10V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | I2PAK |
系列 | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大) | 234W (Tc) |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
其他名称 | 568-9876-5 934066657127 BUK9E4R960E127 |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 9710pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 65nC @ 5V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 5V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
详细说明 | N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 100A (Tc) |