| 型号 : | APTM20DHM10G |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | Microsemi |
| 描述 : | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 4176 pcs |
| 数据库 | 1.APTM20DHM10G.pdf2.APTM20DHM10G.pdf |
| VGS（TH）（最大）@标识 | 5V @ 5mA |
| 供应商设备封装 | SP6 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
| 功率 - 最大 | 694W |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | SP6 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 13700pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 224nC @ 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 175A |
