型号 : | APTM120U10DAG |
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厂家/品牌 : | Microsemi |
描述 : | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 4483 pcs |
数据库 | 1.APTM120U10DAG.pdf2.APTM120U10DAG.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 5V @ 20mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | SP6 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 120 mOhm @ 58A, 10V |
功率耗散(最大) | 3290W (Tc) |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | SP6 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Chassis Mount |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 28900pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 1100nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V |
详细说明 | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 160A (Tc) |