型号 : |
APTM10HM19FT3G |
厂家/品牌 : |
Microsemi |
描述 : |
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
686 pcs |
数据库 |
1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
4V @ 1mA |
供应商设备封装 |
SP3 |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
21 mOhm @ 35A, 10V |
功率 - 最大 |
208W |
封装 |
Bulk |
封装/箱体 |
SP3 |
工作温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Chassis Mount |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
32 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
5100pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
200nC @ 10V |
FET型 |
4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
详细说明 |
Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
70A |