| 型号 : | APTGT35DA120D1G |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | Microsemi |
| 描述 : | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
| RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
| 可用库存 | 4095 pcs |
| 数据库 | APTGT35DA120D1G.pdf |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC | 2.1V @ 15V, 35A |
| 供应商设备封装 | D1 |
| 系列 | - |
| 功率 - 最大 | 205W |
| 封装/箱体 | D1 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC热敏电阻 | No |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（连锁商店）@的Vce | 2.5nF @ 25V |
| 输入 | Standard |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 详细说明 | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 5mA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） | 55A |
| 组态 | Single |
