型号 : |
AOWF10N60 |
厂家/品牌 : |
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
描述 : |
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F |
RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
可用库存 |
36753 pcs |
数据库 |
1.AOWF10N60.pdf2.AOWF10N60.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 |
4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±30V |
技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 |
TO-262F |
系列 |
- |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 |
750 mOhm @ 5A, 10V |
功率耗散(最大) |
25W (Tc) |
封装 |
Tube |
封装/箱体 |
TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 |
Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) |
1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 |
26 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds |
1600pF @ 25V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs |
40nC @ 10V |
FET型 |
N-Channel |
FET特点 |
- |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) |
10V |
漏极至源极电压(Vdss) |
600V |
详细说明 |
N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F |
电流 - 25°C连续排水(Id) |
10A (Tc) |