型号 : | ALD212900PAL |
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厂家/品牌 : | Advanced Linear Devices, Inc. |
描述 : | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
RoHs状态 : | 无铅/符合RoHS |
可用库存 | 20116 pcs |
数据库 | ALD212900PAL.pdf |
VGS(TH)(最大)@标识 | 20mV @ 20µA |
供应商设备封装 | 8-PDIP |
系列 | EPAD®, Zero Threshold™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 14 Ohm |
功率 - 最大 | 500mW |
封装 | Tube |
封装/箱体 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
其他名称 | 1014-1212 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度等级(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 8 Weeks |
无铅状态/ RoHS状态 | Lead free / RoHS Compliant |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 30pF @ 5V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | - |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(Vdss) | 10.6V |
详细说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 80mA |