| 型号 : |
2SK3666-3-TB-E |
| 厂家/品牌 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 : |
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| RoHs状态 : |
无铅/符合RoHS |
| 可用库存 |
301721 pcs |
| 数据库 |
2SK3666-3-TB-E.pdf |
| 电压 - 截止（VGS关闭）@标识 |
180mV @ 1µA |
| 供应商设备封装 |
3-CP |
| 系列 |
- |
| 电阻 - RDS（ON） |
200 Ohms |
| 功率 - 最大 |
200mW |
| 封装 |
Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称 |
869-1107-1 |
| 工作温度 |
150°C (TJ) |
| 安装类型 |
Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL） |
1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 |
4 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds |
4pF @ 10V |
| FET型 |
N-Channel |
| 漏极至源极电压（Vdss） |
30V |
| 详细说明 |
JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| 漏极电流（ID） - 最大 |
10mA |
| 电流 - 漏极（范围Idss）@ Vds的（VGS = 0） |
1.2mA @ 10V |
| 基础部件号 |
2SK3666 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
