| 型号 : | 1N8028-GA |
|---|---|
| 厂家/品牌 : | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| RoHs状态 : | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 可用库存 | 211 pcs |
| 数据库 | 1N8028-GA.pdf |
| 电压 - 峰值反向（最大） | Silicon Carbide Schottky |
| 电压 - 正向（Vf）（最大） | 9.4A (DC) |
| 电压 - 击穿 | TO-257 |
| 系列 | - |
| RoHS状态 | Tube |
| 反向恢复时间（trr） | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 电阻@，女 | 884pF @ 1V, 1MHz |
| 极化 | TO-257-3 |
| 其他名称 | 1242-1115 1N8028GA |
| 工作温度 - 结 | 0ns |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 18 Weeks |
| 制造商零件编号 | 1N8028-GA |
| 展开说明 | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| 二极管配置 | 20µA @ 1200V |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 1.6V @ 10A |
| 电流 - 平均整流（Io）（每二极管） | 1200V (1.2kV) |
| 电容@ Vr，F时 | -55°C ~ 250°C |
GeneSiC Semiconductor
